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产品名称
宽禁带高电压功率半导体GAN模块
所属分类
YXPHM-功率硬件模组
产品描述
作为第三代宽禁带半导体器件，氮化镓（GaN）正在为电力工程行业带来变革，它实现了以往硅MOSFET从未达到的高度、高效率和更高功率密度。GaN固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行，同时降低栅极和开关损耗，从而提高效率。不同于硅，GaN不需要体二极管，因而消除了反向恢复损耗，并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和EMI。
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电力电子功率硬件模组 — YXPHM-TP210b-II交流系列
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