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宽禁带高电压功率半导体GAN模块

作为第三代宽禁带半导体器件,氮化镓(GaN)正在为电力工程行业带来变革,它实现了以往硅MOSFET从未达到的高度、高效率和更高功率密度

关键词:

氮化镓

GaN

所属分类:

YXPHM-功率硬件模组


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产品描述

作为第三代宽禁带半导体器件,氮化镓(GaN)正在为电力工程行业带来变革,它实现了以往硅MOSFET从未达到的高度、高效率和更高功率密度。GaN固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行,同时降低栅极和开关损耗,从而提高效率。不同于硅,GaN不需要体二极管,因而消除了反向恢复损耗,并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和EMI。