YXPHM-GaNHB01高功率密度氮化镓半桥模块

一、概述YXPHM系列功率模块简介

南京研旭公司最新研发推出了YXPHM系列工业级电力电子功率模块，YXPHM系列模块是面向高校实验室、科研院所以及成品电力电子制造厂商的系列功率拓扑模块。具备稳定的可靠性和良好的扩展性，种类丰富，囊括了现今主流的电力电子拓扑结构。外壳采用透明的亚克力板材，美观实用，用户可以方便观察内部的硬件结构，简洁的输入输出设计，减去用户对模块中间环节的困扰，让用户更专注的投入到核心研发中。

YXPHM系列采用基于模型设计的理念，脱胎于研旭成熟产品光伏并网逆变器与风机变流器等成熟产品，又结合了研旭多年的模块化组件与开放式平台研发经验，对该拓扑结构与驱动电路、传感器电路、信号处理电路进一步集成，同时提供实际控制器接口、快速原型控制器结构与实际控制器模块，为用户提供性价比更好的模块化产品。

二、YXPHM-GaNHB01氮化镓半桥模块

作为第三代宽禁带半导体器件，氮化镓（GaN）正在为电力工程行业带来变革，它实现了以往硅 MOSFET 从未达到的高速度、高效率和更高功率密度。GaN 固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行，同时降低栅极和开关损耗，从而提高效率。不同于硅，GaN 不需要体二极管，因而消除了反向恢复损耗，并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和 EMI。    

宽禁带半导体器件正迅速替代硅基半导体器件以在变流驱动中实现更高的效率。GaN（氮化镓）技术与其它宽禁带技术相比成本较低，因此 GaN（氮化镓）技术将主要用于 400V电源总线中，而 SiC（碳化硅）通常用于更高功率的高压800V电源总线。

YXPHM-GaNHB01半桥模块拓扑

上图主电路拓扑为电路拓扑架构，功率GaN开关器件采用VisIC公司的V22TC65S1A功率管。表1为其主要参数。

YXPHM-GaNHB01半桥模块参数：

三、YXPHM-GaNHB01 实测数据图